消息称三星电子考虑削减 HBM3E 产能，扩产 1b nm 通用 DRAM 以最大化利润

12 月 2 日消息，韩媒 DealSite 昨日报道称，三星电子考虑将支撑其 HBM3E 内存供应的 1a nm DRAM 产能削减 30~40%，通过制程转换提升适用于通用内存产品的 1b nm 产能，以实现利润的最大化。

注意到，三星电子的 HBM3 和 HBM3E 内存均基于 1a nm DRAM，而 HBM4 则基于 1c nm，1b nm 工艺产能完全由通用内存占据。

由于 AI 需求、HBM 挤占产能、短期内扩产幅度有限等原因，DDR5、LPDDR5x、GDDR7 等通用内存产品近来价格经历了一波快速涨势，对于三星电子而言其 1b nm 产能的盈利能力反而超过了传统看法中受益于 HBM 高价格的 1a nm。

尽管三星电子最终还是成为了英伟达的 HBM3E 供应商，但其供货规模相对受限，此外三星电子在 HBM3E 上的平均售价本身就相较 SK 海力士低出三成，而 2026 年起 HBM3E 还将降价 30%。

消息人士指出，三星电子如果将 1a nm 的 30~40% 产能和 1z nm 等更为成熟工艺的产能切换为 1b nm，则 1b nm 的投片量有望额外扩充每月 8 万片晶圆。