扩产近两成：消息称三星电子将在平泽 P4 建设大型 HBM4 用 1c nm 内存产线

2 月 5 日消息，韩媒 hankyung 当地时间今日报道称，三星电子计划在平泽 P4 晶圆厂综合体建设一条用于生产 HBM4 内存所需 1c nm DRAM Die 的大型生产线。该生产线计划明年一季度投入生产，月产能达 10~12 万片晶圆。

作为参考，三星电子在 2026 年的月均 DRAM 产能为 66 万片晶圆，换句话说这一条生产线就能贡献总产能近 1/5 的制造能力。如果加上现有的约 6.5 万片晶圆 1c nm 月产能，那 HBM4 届时将占据三星 DRAM 产能的约 1/4。而在配套的 HBM4 Base Die 方面，平泽 S5 的 4nm 生产线已全面投入运营。

与此同时，三星电子还计划将华城 Fab 17 的现有 DRAM 生产线升级至 1c nm，以满足移动设备、家用电器等对先进通用型内存的需求。