4月18日消息，据报道，三星电子已正式决定将高带宽内存（HBM）的研发周期从此前约两年大幅缩短至一年以内。
据悉，三星已制定并正在执行一项计划，每年推出新一代HBM，以配合英伟达等主要客户新款AI加速器的发布节奏。
HBM是AI加速器的核心组件。三星目前最新量产产品为HBM3E，下一代HBM4预计今年随英伟达Vera Rubin及AMD Instinct MI400平台一同推出。
今年3月，三星曾在英伟达GTC 2026上公开展示HBM4E实体样品，可实现16Gbps传输速率及4.0TB/s带宽。首批HBM4E样品已锁定2026年5月产出，将优先供应英伟达进行评估。
但AI加速器厂商已普遍转向每年更新一代产品的发布周期，HBM供应商若无法同步跟进，将面临技术滞后乃至客户流失的风险。
更紧迫的是，市场研究机构Counterpoint数据显示，2026年SK海力士预计占据全球HBM市场约54%的份额，三星仅约28%。
三星此次主动压缩研发周期，本质上是以供应链节奏对齐客户路线图，将自身嵌入AI硬件生态的核心链条。
三星内存产品与技术执行副总裁SangJoon Hwang在GTC 2026上已透露，HBM5的基础裸片将从4nm工艺跨代升级至2nm工艺。
